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IXXH30N60B3D1

IXXH30N60B3D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXXH30N60B3D1
PNEDA Teilenummer IXXH30N60B3D1
Beschreibung IGBT 600V 60A 270W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXXH30N60B3D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXH30N60B3D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXH30N60B3D1, IXXH30N60B3D1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 236,89 KB)
PDFIXXH30N60B3D1 Datenblatt Cover
IXXH30N60B3D1 Datenblatt Seite 2 IXXH30N60B3D1 Datenblatt Seite 3 IXXH30N60B3D1 Datenblatt Seite 4 IXXH30N60B3D1 Datenblatt Seite 5 IXXH30N60B3D1 Datenblatt Seite 6 IXXH30N60B3D1 Datenblatt Seite 7

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IXXH30N60B3D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)115A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 24A
Leistung - max270W
Schaltenergie550µJ (on), 500µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge39nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/97ns
Testbedingung400V, 24A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXXH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14.7A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 15A

Leistung - max

35.7W

Schaltenergie

570µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/188ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

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Hersteller

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Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

183A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

307A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 62A

Leistung - max

780W

Schaltenergie

1.354mJ (on), 1.614mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

294nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/212ns

Testbedingung

400V, 62A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

RGT30NS65DGTL

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

133W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

118A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

224A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/100ns

Testbedingung

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

T-MAX™ [B2]

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 32A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

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Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/270ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Betriebstemperatur

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