APT150GT120JR
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| Teilenummer | APT150GT120JR |
| PNEDA Teilenummer | APT150GT120JR |
| Beschreibung | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.030 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT150GT120JR Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT150GT120JR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APT150GT120JR Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 170A |
| Leistung - max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 150A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 150µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.3nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | ISOTOP |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Leistung - max 620W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.9nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall POWIR® 34 Module Lieferantengerätepaket POWIR® 34 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1500A Leistung - max 9800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.65V @ 15V, 800A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 97nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
