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BSM25GD120DN2BOSA1

BSM25GD120DN2BOSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BSM25GD120DN2BOSA1
PNEDA Teilenummer BSM25GD120DN2BOSA1
Beschreibung IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 30 - Mai 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BSM25GD120DN2BOSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBSM25GD120DN2BOSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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BSM25GD120DN2BOSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationFull Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35A
Leistung - max200W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)800µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.65nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™+

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

350A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGL60DDA120T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual Boost Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Leistung - max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.77nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

FF600R17ME4PB11BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTGT300DA120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

1380W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Leistung - max

150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

150µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MiniPack2

Lieferantengerätepaket

MiniPack2

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