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MIXA30W1200TMH

MIXA30W1200TMH

Nur als Referenz

Teilenummer MIXA30W1200TMH
PNEDA Teilenummer MIXA30W1200TMH
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 30A
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.626
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MIXA30W1200TMH Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIXA30W1200TMH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MIXA30W1200TMH, MIXA30W1200TMH Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 257,9 KB)
PDFMIXA30W1200TMH Datenblatt Cover
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MIXA30W1200TMH Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)43A
Leistung - max150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)150µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallMiniPack2
LieferantengerätepaketMiniPack2

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

62A

Leistung - max

280W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E2

Lieferantengerätepaket

E2

APTGF50DU120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Dual, Common Source

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

APTGT300A60G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

430A

Leistung - max

1150W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

350µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGT100DSK60T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Dual Buck Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Leistung - max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTGT75DA120T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Leistung - max

357W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SP1

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