DF200R12PT4B6BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF200R12PT4B6BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF200R12PT4B6BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.336 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF200R12PT4B6BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF200R12PT4B6BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
DF200R12PT4B6BOSA1, DF200R12PT4B6BOSA1 Datenblatt
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DF200R12PT4B6BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300A |
| Leistung - max | 1100W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 12.5nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
