DF200R12PT4B6BOSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | DF200R12PT4B6BOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | DF200R12PT4B6BOSA1 |
| Beschreibung | IGBT MODULE VCES 1200V 200A |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.336 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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DF200R12PT4B6BOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | DF200R12PT4B6BOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
DF200R12PT4B6BOSA1, DF200R12PT4B6BOSA1 Datenblatt
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DF200R12PT4B6BOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300A |
| Leistung - max | 1100W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 12.5nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 180A Leistung - max 595W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 400W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.84nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 7PM-GA Lieferantengerätepaket 7PM-GA |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 124A Leistung - max 379W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.8nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket ISOTOP® |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1200A Leistung - max 2000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 600A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 600µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 36.6nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
