A2G35S200-01SR3
Nur als Referenz
| Teilenummer | A2G35S200-01SR3 |
| PNEDA Teilenummer | A2G35S200-01SR3 |
| Beschreibung | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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A2G35S200-01SR3 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | A2G35S200-01SR3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt |
A2G35S200-01SR3, A2G35S200-01SR3 Datenblatt
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A2G35S200-01SR3 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | LDMOS |
| Frequenz | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| Gewinn | 16.1dB |
| Spannungstest | 48V |
| Nennstrom (Ampere) | - |
| Rauschzahl | - |
| Stromtest | 291mA |
| Leistung - Leistung | 180W |
| Spannung - Nennspannung | 125V |
| Paket / Fall | NI-400S-2S |
| Lieferantengerätepaket | NI-400S-2S |
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