A2G35S200-01SR3
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Teilenummer | A2G35S200-01SR3 |
PNEDA Teilenummer | A2G35S200-01SR3 |
Beschreibung | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
Hersteller | NXP |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.580 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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A2G35S200-01SR3 Ressourcen
Marke | NXP |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | A2G35S200-01SR3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - RF |
Datenblatt |
A2G35S200-01SR3, A2G35S200-01SR3 Datenblatt
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A2G35S200-01SR3 Technische Daten
Hersteller | NXP USA Inc. |
Serie | - |
Transistortyp | LDMOS |
Frequenz | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Gewinn | 16.1dB |
Spannungstest | 48V |
Nennstrom (Ampere) | - |
Rauschzahl | - |
Stromtest | 291mA |
Leistung - Leistung | 180W |
Spannung - Nennspannung | 125V |
Paket / Fall | NI-400S-2S |
Lieferantengerätepaket | NI-400S-2S |
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