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A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

Nur als Referenz

Teilenummer A2G35S200-01SR3
PNEDA Teilenummer A2G35S200-01SR3
Beschreibung AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

A2G35S200-01SR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerA2G35S200-01SR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
A2G35S200-01SR3, A2G35S200-01SR3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 339,16 KB)
PDFA2G35S200-01SR3 Datenblatt Cover
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A2G35S200-01SR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz3.4GHz ~ 3.6GHz
Gewinn16.1dB
Spannungstest48V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest291mA
Leistung - Leistung180W
Spannung - Nennspannung125V
Paket / FallNI-400S-2S
LieferantengerätepaketNI-400S-2S

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

100MHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

50mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

44dBm

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.39GHz

Gewinn

15.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-880

Lieferantengerätepaket

NI-880

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

125W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

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