A2G35S200-01SR3 Datenblatt
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NXP
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A2G35S200-01SR3
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp LDMOS Frequenz 3.4GHz ~ 3.6GHz Gewinn 16.1dB Spannungstest 48V Nennstrom (Ampere) - Rauschzahl - Stromtest 291mA Leistung - Leistung 180W Spannung - Nennspannung 125V Paket / Fall NI-400S-2S Lieferantengerätepaket NI-400S-2S |