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A2G35S200-01SR3 Datenblatt

A2G35S200-01SR3 Datenblatt
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NXP
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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.4GHz ~ 3.6GHz

Gewinn

16.1dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

291mA

Leistung - Leistung

180W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

NI-400S-2S

Lieferantengerätepaket

NI-400S-2S