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MRF7S18125BHR3

MRF7S18125BHR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF7S18125BHR3
PNEDA Teilenummer MRF7S18125BHR3
Beschreibung FET RF 65V 1.93GHZ NI780
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF7S18125BHR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF7S18125BHR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF7S18125BHR3, MRF7S18125BHR3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 521,74 KB)
PDFMRF7S18125BHSR5 Datenblatt Cover
MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 2 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 3 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 4 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 5 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 6 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 7 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 8 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 9 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 10 MRF7S18125BHSR5 Datenblatt Seite 11

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MRF7S18125BHR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.93GHz
Gewinn16.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.1A
Leistung - Leistung125W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

400MHz ~ 860MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

900W

Spannung - Nennspannung

108V

Paket / Fall

SOT539B

Lieferantengerätepaket

SOT539B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

9dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

3W

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5

ARF1501

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

27.12MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

250V

Nennstrom (Ampere)

30A

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

750W

Spannung - Nennspannung

1000V

Paket / Fall

T-1

Lieferantengerätepaket

T-1

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Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

27dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

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