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CGHV27100F

CGHV27100F

Nur als Referenz

Teilenummer CGHV27100F
PNEDA Teilenummer CGHV27100F
Beschreibung RF MOSFET HEMT 50V 440162
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 6.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

CGHV27100F Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerCGHV27100F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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CGHV27100F Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
SerieGaN
TransistortypHEMT
Frequenz2.5GHz ~ 2.7GHz
Gewinn18dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)6A
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung50V
Paket / Fall440162
Lieferantengerätepaket440162

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

15.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

580W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-7

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.12GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

ATF-531P8-BLK

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

300mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

135mA

Leistung - Leistung

24.5dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

PD55025TR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

25W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Formed Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

NI-1230-4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

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M30624FGPGP#U3C

M30624FGPGP#U3C

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