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PD55025TR-E

PD55025TR-E

Nur als Referenz

Teilenummer PD55025TR-E
PNEDA Teilenummer PD55025TR-E
Beschreibung TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PD55025TR-E Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPD55025TR-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PD55025TR-E, PD55025TR-E Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 532,41 KB)
PDFPD55025STR-E Datenblatt Cover
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PD55025TR-E Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz500MHz
Gewinn14.5dB
Spannungstest12.5V
Nennstrom (Ampere)7A
Rauschzahl-
Stromtest200mA
Leistung - Leistung25W
Spannung - Nennspannung40V
Paket / FallPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
LieferantengerätepaketPowerSO-10RF (Formed Lead)

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Frequenz

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Gewinn

19dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

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Cree/Wolfspeed

Serie

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Transistortyp

HEMT

Frequenz

3GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

300mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

84V

Paket / Fall

440193

Lieferantengerätepaket

440193

PTFA041501HL V1 R250

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

470MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

400MHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

4dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

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