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BLF6G10LS-260PRN:1

BLF6G10LS-260PRN:1

Nur als Referenz

Teilenummer BLF6G10LS-260PRN:1
PNEDA Teilenummer BLF6G10LS-260PRN-1_E3
Beschreibung RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 5.436
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BLF6G10LS-260PRN:1 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLF6G10LS-260PRN:1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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BLF6G10LS-260PRN:1 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz917.5MHz ~ 962.5MHz
Gewinn22dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)64A
Rauschzahl-
Stromtest1.8A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallSOT539B
LieferantengerätepaketSOT539B

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.9GHz

Gewinn

13.3dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

320W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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NI-1230

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STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

65V

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

58W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

PTVA120501EA-V1-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

H-36265-2

Lieferantengerätepaket

H-36265-2

CE3514M4

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

12GHz

Gewinn

12.2dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

0.62dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

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