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MRF6VP41KHR5

MRF6VP41KHR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF6VP41KHR5
PNEDA Teilenummer MRF6VP41KHR5
Beschreibung FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.076
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF6VP41KHR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF6VP41KHR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF6VP41KHR5, MRF6VP41KHR5 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.356,61 KB)
PDFMRF6VP41KHSR7 Datenblatt Cover
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MRF6VP41KHR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz450MHz
Gewinn20dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest150mA
Leistung - Leistung1000W
Spannung - Nennspannung110V
Paket / FallNI-1230
LieferantengerätepaketNI-1230

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

48V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

52dBm

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

NI-400S-2S

Lieferantengerätepaket

NI-400S-2S

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

28A

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PTFB193408SVV1XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.65A

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-34275G-6/2

Lieferantengerätepaket

H-34275G-6/2

MRF101BN

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.8MHz ~ 250MHz

Gewinn

21.1dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

115W

Spannung - Nennspannung

133V

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

2SK3074TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

520MHz

Gewinn

14.9dB

Spannungstest

9.6V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

630mW

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SC-62

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