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MRFE6S9160HR3

MRFE6S9160HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6S9160HR3
PNEDA Teilenummer MRFE6S9160HR3
Beschreibung FET RF 66V 880MHZ NI-780
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.740
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRFE6S9160HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6S9160HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFE6S9160HR3, MRFE6S9160HR3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 543,59 KB)
PDFMRFE6S9160HSR5 Datenblatt Cover
MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 2 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 3 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 4 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 5 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 6 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 7 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 8 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 9 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 10 MRFE6S9160HSR5 Datenblatt Seite 11

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MRFE6S9160HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn21dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung35W
Spannung - Nennspannung66V
Paket / FallSOT-957A
LieferantengerätepaketNI-780H-2L

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

450MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

120V

Paket / Fall

NI-1230S-4

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4

LET9060C

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

75W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

M243

Lieferantengerätepaket

M243

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

700MHz ~ 1.3GHz

Gewinn

20.4dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

750W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

NI-1230-4S

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

CGHV37400F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3.3GHz ~ 3.8GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

525W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440217

Lieferantengerätepaket

440217

BLA1011-200,112

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz ~ 1.09GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

36V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

200W

Spannung - Nennspannung

75V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

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PI3740-00-LGIZ

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8121-RC

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R5F2L3AACNFP#V0

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