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2304

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
• Frequenz - Übergang: 2.3GHz
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: 8dB
• Leistung - max: 10.2W
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA
• Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: 55BT
• Lieferantengerätepaket: 55BT

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0204-125

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 60V 400MHZ 55JT

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
• Frequenz - Übergang: 225MHz ~ 400MHz
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: 7dB ~ 8.5dB
• Leistung - max: 270W
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A
• Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: 55JT
• Lieferantengerätepaket: 55JT

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MS2207

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
• Frequenz - Übergang: 1.09GHz
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: 8dB
• Leistung - max: 880W
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A
• Betriebstemperatur: 250°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: M216
• Lieferantengerätepaket: M216

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MS2472

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V
• Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: 5.6dB
• Leistung - max: 1350W
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A
• Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: M112
• Lieferantengerätepaket: M112

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BF240

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
• Frequenz - Übergang: 1.1GHz
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: -
• Leistung - max: 350mW
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Lieferantengerätepaket: TO-92-3

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MX0912B351Y,114

Ampleon

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2

• Hersteller: Ampleon USA Inc.
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
• Frequenz - Übergang: 1.215GHz
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: 7.6dB
• Leistung - max: 960W
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A
• Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SOT-439A
• Lieferantengerätepaket: CDFM2

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MRF422

M/A-Com Technology Solutions

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 35V 211-11

• Hersteller: M/A-Com Technology Solutions
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V
• Frequenz - Übergang: -
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: 13dB
• Leistung - max: 150W
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: 211-11, Style 2
• Lieferantengerätepaket: 211-11, Style 2

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PH1090-75L

M/A-Com Technology Solutions

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 70V

• Hersteller: M/A-Com Technology Solutions
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V
• Frequenz - Übergang: -
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: 10.70dB ~ 10.81dB
• Leistung - max: 75W
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A
• Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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MRF428

M/A-Com Technology Solutions

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 55V 211-11

• Hersteller: M/A-Com Technology Solutions
• Serie: -
• Transistortyp: NPN
• Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V
• Frequenz - Übergang: -
• Rauschzahl (dB Typ @ f): -
• Gewinn: 15dB
• Leistung - max: 150W
• Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V
• Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A
• Betriebstemperatur: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: 211-11, Style 2
• Lieferantengerätepaket: 211-11, Style 2

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BB804,215

NXP

Varaktordioden

DIODE VHF VAR CAP DUAL SOT23

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 46.5pF @ 2V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 1.75
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C2/C8
• Spannung - Peak Reverse (Max): 18V
• Diodentyp: 1 Pair Common Cathode
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)

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BB55502VH7912XTSA1

Infineon Technologies

Varaktordioden

DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 2.3pF @ 28V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 9.8
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C28
• Spannung - Peak Reverse (Max): 30V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-79, SOD-523
• Lieferantengerätepaket: PG-SC79-2

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BBY5803WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Varaktordioden

DIODE TUNING 10V 20MA SOD-323

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 5.5pF @ 6V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 3.5
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C4
• Spannung - Peak Reverse (Max): 10V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-76, SOD-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOD323-2

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BB148,115

NXP

Varaktordioden

DIODE VHF VAR CAP 30V SOD323

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 2.75pF @ 28V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 15
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C28
• Spannung - Peak Reverse (Max): 30V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-76, SOD-323
• Lieferantengerätepaket: SOD-323

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BBY5702WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Varaktordioden

DIODE TUNING 10V 20MA SCD80

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 5.5pF @ 4V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 4.5
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C4
• Spannung - Peak Reverse (Max): 10V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-80
• Lieferantengerätepaket: SCD-80

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BBY6605WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Varaktordioden

DIODE TUNING 12V 50MA SOT323

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 13.5pF @ 4.5V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 5.41
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C4.5
• Spannung - Peak Reverse (Max): 12V
• Diodentyp: 1 Pair Common Cathode
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3

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BBY5602WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Varaktordioden

DIODE TUNING 10V 20MA SCD80

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 12.1pF @ 4V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 3.3
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C3
• Spannung - Peak Reverse (Max): 10V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-80
• Lieferantengerätepaket: SCD-80

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BBY5502WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Varaktordioden

DIODE TUNING 16V 20MA SCD80

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 6.5pF @ 10V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 3
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C2/C10
• Spannung - Peak Reverse (Max): 16V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-80
• Lieferantengerätepaket: SCD-80

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BB68902VH7902XTSA1

Infineon Technologies

Varaktordioden

DIODE TUNING 30V 20MA SC79

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 2.9pF @ 28V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 23.2
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C28
• Spannung - Peak Reverse (Max): 30V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-79, SOD-523
• Lieferantengerätepaket: PG-SC79-2

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BB831E7904HTSA1

Infineon Technologies

Varaktordioden

DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 1.2pF @ 28V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 9.5
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C28
• Spannung - Peak Reverse (Max): 30V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-76, SOD-323
• Lieferantengerätepaket: PG-SOD323-2

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MMBV409LT1G

ON Semiconductor

Varaktordioden

DIODE TUNING SS 20V SOT-23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 32pF @ 3V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 1.9
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C3/C8
• Spannung - Peak Reverse (Max): 20V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: 200 @ 3V, 50MHz
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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MMBV409LT1

ON Semiconductor

Varaktordioden

DIODE TUNING SS 20V SOT-23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 32pF @ 3V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 1.9
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C3/C8
• Spannung - Peak Reverse (Max): 20V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: 200 @ 3V, 50MHz
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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1SV322(TPH3,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Varaktordioden

DIODE VARACTOR 10V USC

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 7.1pF @ 4V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 4.3
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C4
• Spannung - Peak Reverse (Max): 10V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-76, SOD-323
• Lieferantengerätepaket: USC

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MA27V1600L

Panasonic Electronic Components

Varaktordioden

DIODE VARIABLE CAP 6V SSSMINI-2P

• Hersteller: Panasonic Electronic Components
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 8.37pF @ 3V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 2.35
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C3
• Spannung - Peak Reverse (Max): 6V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 2-SMD, Flat Lead
• Lieferantengerätepaket: SSSMini2-F1

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MA26V0700A

Panasonic Electronic Components

Varaktordioden

DIODE VARIABLE CAP 6V 1006

• Hersteller: Panasonic Electronic Components
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 1.62pF @ 3V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 2.02
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C3
• Spannung - Peak Reverse (Max): 6V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-101, SOT-883
• Lieferantengerätepaket: ML3-N2

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MMBV809LT1G

ON Semiconductor

Varaktordioden

DIODE TUNING SS 20V SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 6.1pF @ 2V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 2.6
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C2/C8
• Spannung - Peak Reverse (Max): 20V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: 75 @ 3V, 500MHz
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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MMBV2109LT1G

ON Semiconductor

Varaktordioden

DIODE TUNING SS 30V SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 36.3pF @ 4V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 3.2
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C2/C30
• Spannung - Peak Reverse (Max): 30V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: 200 @ 4V, 50MHz
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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MMBV2101LT1G

ON Semiconductor

Varaktordioden

DIODE TUNING SS 30V SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 7.5pF @ 4V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 3.2
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C2/C30
• Spannung - Peak Reverse (Max): 30V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: 450 @ 4V, 50MHz
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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BBY31,215

NXP

Varaktordioden

DIODE UHF VAR CAP 30V SOT-23

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 2pF @ 28V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 8.3
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C28
• Spannung - Peak Reverse (Max): 30V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)

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MA2SV0700L

Panasonic Electronic Components

Varaktordioden

DIODE VARIABLE CAP 6V SSMINI-2P

• Hersteller: Panasonic Electronic Components
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 1.62pF @ 3V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 2.02
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C1/C3
• Spannung - Peak Reverse (Max): 6V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: -
• Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: SC-80
• Lieferantengerätepaket: SSMini2-F2

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MMBV809LT1

ON Semiconductor

Varaktordioden

DIODE TUNING SS 20V SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Kapazität @ Vr, F.: 6.1pF @ 2V, 1MHz
• Kapazitätsverhältnis: 2.6
• Kapazitätsverhältnisbedingung: C2/C8
• Spannung - Peak Reverse (Max): 20V
• Diodentyp: Single
• Q @ Vr, F.: 75 @ 3V, 500MHz
• Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)

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