Transistoren

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STGW30H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 260W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 350µJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/160ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 110ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager2.214
STGW30H60DFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 260W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 383µJ (on), 293µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 37ns/146ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 53ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.424
STGW30H60DLFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT HB 600V 30A HS TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 293µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/146ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager13.500
STGW30H65FB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 30A 260W TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 151µJ (on), 293µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 37ns/146ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager4.734
STGW30M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Leistung - max: 258W Schaltenergie: 300µJ (on), 960µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31.6ns/115ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 140ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.744
STGW30N120KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 60A 220W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 20A Leistung - max: 220W Schaltenergie: 2.4mJ (on), 4.3mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/251ns Testbedingung: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 84ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.982
STGW30N90D STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 900V 60A 220W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 900V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 135A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A Leistung - max: 220W Schaltenergie: 1.66mJ (on), 4.44mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/275ns Testbedingung: 900V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 152ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager7.380
STGW30NC120HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 60A 220W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A Leistung - max: 220W Schaltenergie: 1.66mJ (on), 4.44mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/275ns Testbedingung: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 152ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager19.692
STGW30NC60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 125A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 350µJ (on), 435µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 96nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/120ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 40ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager793
STGW30NC60VD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 250W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 220µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31ns/100ns Testbedingung: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 44ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager13.572
STGW30NC60W STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 305µJ (on), 181µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29.5ns/118ns Testbedingung: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.972
STGW30NC60WD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 305µJ (on), 181µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29.5ns/118ns Testbedingung: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 40ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager13.104
STGW30V60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 258W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max: 258W Schaltenergie: 383µJ (on), 233µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 163nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 45ns/189ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 53ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.766
STGW30V60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 260W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 383µJ (on), 233µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 163nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 45ns/189ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager30.324
STGW33IH120D STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 60A 220W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max: 220W Schaltenergie: 1.5mJ (on), 3.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 127nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 46ns/284ns Testbedingung: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 85ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads	Auf Lager7.056
STGW35HF60W STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 290µJ (on), 185µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/175ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.288
STGW35HF60WD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 290µJ (on), 185µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/175ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 50ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager2.880
STGW35HF60WDI STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 185µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/175ns Testbedingung: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 85ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager18.516
STGW35NB60S STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 70A 200W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 840µJ (on), 7.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 83nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 92ns/1.1µs Testbedingung: 480V, 20A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager2.934
STGW35NB60SD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 70A 200W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 840µJ (on), 7.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 83nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 92ns/1.1µs Testbedingung: 480V, 20A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 44ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager7
STGW35NC120HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 60A 235W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 135A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 20A Leistung - max: 235W Schaltenergie: 1.66mJ (on), 4.44mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/275ns Testbedingung: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 152ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager5.562
STGW35NC60WD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 70A 260W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 305µJ (on), 181µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29.5ns/118ns Testbedingung: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 40ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager3.996
STGW38IH130D STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1300V 63A 250W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1300V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 125A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 3.4mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 127nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/284ns Testbedingung: 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads	Auf Lager4.302
STGW39NC60VD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 250W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 333µJ (on), 537µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 126nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 33ns/178ns Testbedingung: 390V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 45ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager14.718
STGW40H120DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 40A HS TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max: 468W Schaltenergie: 1mJ (on), 1.32mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 187nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/152ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 488ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager114
STGW40H120F2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 40A HS TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max: 468W Schaltenergie: 1mJ (on), 1.32mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 158nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/152ns Testbedingung: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager3.474
STGW40H60DLFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 283W TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 363µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/142ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager16.128
STGW40H65DFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 283W TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 498µJ (on), 363µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/142ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 62ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager14.646
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT Hersteller: STMicroelectronics Serie: HB IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 200µJ (on), 410µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/142ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 62ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-4 Lieferantengerätepaket: TO-247-4L	Auf Lager8.136
STGW40H65FB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 80A 283W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 498mJ (on), 363mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/142ns Testbedingung: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.390

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