Transistoren

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STGP20H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 167W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 209µJ (on), 261µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 42.5ns/177ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 90ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager8.508
STGP20M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT TRENCH 650V 40A TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: M IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Leistung - max: 166W Schaltenergie: 140µJ (on), 560µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 63nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/108ns Testbedingung: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 166ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager16.668
STGP20NC60V STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 220µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31ns/100ns Testbedingung: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.480
STGP20V60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 167W TO220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 200µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 38ns/149ns Testbedingung: 400V, 20A, 15V Reverse Recovery Time (trr): 40ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager7.632
STGP20V60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 167W TO220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 200µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 38ns/149ns Testbedingung: 400V, 20A, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager16.812
STGP30H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 260W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 350µJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/160ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 110ns Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager14.046
STGP30H60DFB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 383µJ (on), 293µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 149nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 37ns/146ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 53ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager13.284
STGP30H65F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 60A 260W TO-220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 350µJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 50ns/160ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager7.224
STGP30M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 30A TO-220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Leistung - max: 258W Schaltenergie: 300µJ (on), 960µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31.6ns/115ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 140ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager25.218
STGP30NC60K STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 185W TO220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 125A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Leistung - max: 185W Schaltenergie: 350µJ (on), 435µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 96nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/120ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager17.748
STGP30NC60S STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 55A 175W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A Leistung - max: 175W Schaltenergie: 300µJ (on), 1.28mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 96nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 21.5ns/180ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager8.892
STGP30NC60W STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 305µJ (on), 181µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 102nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29.5ns/118ns Testbedingung: 390V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.340
STGP30V60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 258W TO220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max: 258W Schaltenergie: 383µJ (on), 233µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 163nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 45ns/189ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 53ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager19.404
STGP30V60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 260W TO220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Leistung - max: 260W Schaltenergie: 383µJ (on), 233µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 163nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 45ns/189ns Testbedingung: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager12.210
STGP35HF60W STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 290µJ (on), 185µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/175ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager17.508
STGP35N35LZ STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 345V 40A 176W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 345V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A Leistung - max: 176W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 1.1µs/26.5µs Testbedingung: 300V, 15A, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager7.020
STGP3HF60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT BIPO 600V 3A TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A Leistung - max: 38W Schaltenergie: 19µJ (on), 12µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 11ns/60ns Testbedingung: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 85ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager27.240
STGP3NB60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 68W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A Leistung - max: 68W Schaltenergie: 125µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12.5ns/105ns Testbedingung: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 45ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.210
STGP3NB60FD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 68W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A Leistung - max: 68W Schaltenergie: 125µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12.5ns/105ns Testbedingung: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 45ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.688
STGP3NB60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 10A 50W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max: 50W Schaltenergie: 33µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 5ns/53ns Testbedingung: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 45ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.096
STGP3NB60K STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 10A 50W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max: 50W Schaltenergie: 58µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14ns/33ns Testbedingung: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.970
STGP3NB60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 10A 50W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max: 50W Schaltenergie: 30µJ (on), 58µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14ns/33ns Testbedingung: 480V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 45ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.418
STGP3NC120HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 14A 75W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Leistung - max: 75W Schaltenergie: 236µJ (on), 290µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/118ns Testbedingung: 800V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 51ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager23.352
STGP40V60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 283W TO220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 283W Schaltenergie: 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 52ns/208ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager25.470
STGP4M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS Hersteller: STMicroelectronics Serie: M IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 16A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A Leistung - max: 68W Schaltenergie: 40µJ (on), 136µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 15.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/86ns Testbedingung: 400V, 4A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 133ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager16.482
STGP5H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A Leistung - max: 88W Schaltenergie: 56µJ (on), 78.5µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/140ns Testbedingung: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 134.5ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager18.804
STGP6M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Hersteller: STMicroelectronics Serie: M IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A Leistung - max: 88W Schaltenergie: 40µJ (on), 136µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 21.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/86ns Testbedingung: 400V, 6A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 140ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager13.338
STGP6NC60H STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 15A 56W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Leistung - max: 56W Schaltenergie: 20µJ (on), 68µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 13.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/76ns Testbedingung: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 21ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.748
STGP6NC60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 15A 56W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A Leistung - max: 56W Schaltenergie: 20µJ (on), 68µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 13.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 12ns/76ns Testbedingung: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 21ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager15.606
STGP7H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 88W TO-220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 28A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A Leistung - max: 88W Schaltenergie: 99µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 46nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/160ns Testbedingung: 400V, 7A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 136ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager7.140

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