Transistoren

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STGP7NB60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 80W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A Leistung - max: 80W Schaltenergie: 85µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/75ns Testbedingung: 480V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 100ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.004
STGP7NB60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 80W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A Leistung - max: 80W Schaltenergie: 140µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32.7nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/50ns Testbedingung: 480V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 50ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.874
STGP7NC60H STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 25A 80W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Leistung - max: 80W Schaltenergie: 95µJ (on), 115µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18.5ns/72ns Testbedingung: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.132
STGP7NC60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 25A 80W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Leistung - max: 80W Schaltenergie: 95µJ (on), 115µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18.5ns/72ns Testbedingung: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 37ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager17.220
STGP8NC60K STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 15A 65W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Leistung - max: 65W Schaltenergie: 55µJ (on), 85µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/72ns Testbedingung: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.636
STGP8NC60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 15A 65W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A Leistung - max: 65W Schaltenergie: 55µJ (on), 85µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/72ns Testbedingung: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 23.5ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.820
STGPL6NC60D STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 56W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Leistung - max: 56W Schaltenergie: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 6.7ns/46ns Testbedingung: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 50ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.048
STGPL6NC60DI STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 14A 56W TO-220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A Leistung - max: 56W Schaltenergie: 32µJ (on), 24µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 6.7ns/46ns Testbedingung: 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 23ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FP	Auf Lager7.704
STGW10M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Hersteller: STMicroelectronics Serie: M IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Leistung - max: 115W Schaltenergie: 120µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19ns/91ns Testbedingung: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 96ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager5.814
STGW15H120DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A Leistung - max: 259W Schaltenergie: 380µJ (on), 370µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/111ns Testbedingung: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 231ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager17.580
STGW15H120F2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A Leistung - max: 259W Schaltenergie: 380µJ (on), 370µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/111ns Testbedingung: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager6.948
STGW15M120DF3 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 30A 259W Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Leistung - max: 259W Schaltenergie: 550µJ (on), 850µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 26ns/122ns Testbedingung: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 270ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager190
STGW15S120DF3 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 15A TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Leistung - max: 259W Schaltenergie: 540µJ (on), 1.38mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/140ns Testbedingung: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 270ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.930
STGW19NC60H STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 42A 140W TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 140W Schaltenergie: 85µJ (on), 189µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/97ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager13.716
STGW19NC60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 42A 140W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 140W Schaltenergie: 85µJ (on), 189µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/97ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads	Auf Lager23.760
STGW19NC60W STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 42A 140W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 140W Schaltenergie: 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/90ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads	Auf Lager12.648
STGW19NC60WD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 42A 125W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/90ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager3.544
STGW20H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 167W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 209µJ (on), 261µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 115nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 42.5ns/177ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 90ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager16.344
STGW20H65FB STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 40A 168W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A Leistung - max: 168W Schaltenergie: 77µJ (on), 170µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/139ns Testbedingung: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.820
STGW20IH125DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1250V 40A 259W TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Leistung - max: 259W Schaltenergie: 410µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/106ns Testbedingung: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.370
STGW20NB60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 50A 170W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max: 170W Schaltenergie: 675µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 39ns/105ns Testbedingung: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 80.5ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager2.286
STGW20NC60V STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 220µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31ns/100ns Testbedingung: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.532
STGW20NC60VD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 60A 200W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max: 200W Schaltenergie: 220µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31ns/100ns Testbedingung: 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 44ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager8.292
STGW20V60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 167W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 200µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 38ns/149ns Testbedingung: 400V, 20A, 15V Reverse Recovery Time (trr): 40ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager15.672
STGW20V60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 167W TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max: 167W Schaltenergie: 200µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 38ns/149ns Testbedingung: 400V, 20A, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.676
STGW25H120DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 600µJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/130ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 303ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.460
STGW25H120F2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 600µJ (on), 700µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 29ns/130ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager146
STGW25M120DF3 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 50A 375W Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 850µJ (on), 1.3mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/150ns Testbedingung: 600V, 25A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 265ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager445
STGW25S120DF3 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 25A TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 830µJ (on), 2.37mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 31ns/147ns Testbedingung: 600V, 25A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 265ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager6.642
STGW28IH125DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1250V 60A 375W TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1250V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A Leistung - max: 375W Schaltenergie: 720µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 114nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/128ns Testbedingung: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247	Auf Lager8.172

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