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STGW25H120DF2

STGW25H120DF2

Nur als Referenz

Teilenummer STGW25H120DF2
PNEDA Teilenummer STGW25H120DF2
Beschreibung IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.460
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STGW25H120DF2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW25H120DF2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW25H120DF2, STGW25H120DF2 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 730,34 KB)
PDFSTGW25H120DF2 Datenblatt Cover
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STGW25H120DF2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 25A
Leistung - max375W
Schaltenergie600µJ (on), 700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.29ns/130ns
Testbedingung600V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)303ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

400µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/143ns

Testbedingung

360V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

326W

Schaltenergie

2.65mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/277ns

Testbedingung

600V, 25A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

290ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

700µJ (on), 2.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

66nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/300ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

26ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRGP4790DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

STGWA35HF60WDI

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

185µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/175ns

Testbedingung

390V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Kürzlich verkauft

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CER RES 4.0000MHZ 30PF SMD

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DEA202450BT-1294C1-H

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EP4CE40F23I7N

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IC FPGA 328 I/O 484FBGA

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SMAJ36CA

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AC

74ACT08SC

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ON Semiconductor

IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOIC

1SMB36AT3G

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Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

TAJB107M006RNJ

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CAP TANT 100UF 20% 6.3V 1411

BLM31PG391SN1L

BLM31PG391SN1L

Murata

FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN

MMSZ4699T1G

MMSZ4699T1G

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DIODE ZENER 12V 500MW SOD123