Transistoren

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STGFW40V60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 62.5W Schaltenergie: 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 52ns/208ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 41ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PF-3	Auf Lager5.562
STGFW40V60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max: 62.5W Schaltenergie: 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 52ns/208ns Testbedingung: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager6.120
STGFW80V60F STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 120A 79W TO-3PF Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A Leistung - max: 79W Schaltenergie: 1.8mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 448nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 60ns/220ns Testbedingung: 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager6.588
STGP100N30 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 330V 90A 250W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A Leistung - max: 250W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: -/134ns Testbedingung: 180V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager18.036
STGP10H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 115W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A Leistung - max: 115W Schaltenergie: 83µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19.5ns/103ns Testbedingung: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 107ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager7.596
STGP10M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 650V 10A TO-220AB Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Leistung - max: 115W Schaltenergie: 120µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19ns/91ns Testbedingung: 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 96ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager5.382
STGP10NB37LZ STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 440V 20A 125W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 2.4mJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 1.3µs/8µs Testbedingung: 328V, 10A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.546
STGP10NB60S STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 29A 80W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A Leistung - max: 80W Schaltenergie: 600µJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 700ns/1.2µs Testbedingung: 480V, 10A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager14.580
STGP10NB60SD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 29A 80W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 29A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A Leistung - max: 80W Schaltenergie: 600µJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 700ns/1.2µs Testbedingung: 480V, 10A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 37ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.192
STGP10NB60SFP STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 25W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 10A Leistung - max: 25W Schaltenergie: 600µJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 700ns/1.2µs Testbedingung: 480V, 10A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FP	Auf Lager8.424
STGP10NC60H STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 60W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14.2ns/72ns Testbedingung: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.552
STGP10NC60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 65W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max: 65W Schaltenergie: 31.8µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 14.2ns/72ns Testbedingung: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 22ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager45.678
STGP10NC60K STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 60W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 55µJ (on), 85µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/72ns Testbedingung: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager6.102
STGP10NC60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 65W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A Leistung - max: 65W Schaltenergie: 55µJ (on), 85µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 19nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/72ns Testbedingung: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 22ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager12.972
STGP10NC60S STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 21A 62.5W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A Leistung - max: 62.5W Schaltenergie: 60µJ (on), 340µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19ns/160ns Testbedingung: 390V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager16.884
STGP12NB60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 30A 125W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 210µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 68nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 5ns/91ns Testbedingung: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 80ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.268
STGP12NB60K STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 30A 125W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 258µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 54nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/96ns Testbedingung: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.992
STGP12NB60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 30A 125W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 258µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 54nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/96ns Testbedingung: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 80ns Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.416
STGP14N60D STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 25A 95W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A Leistung - max: 95W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 37ns Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220-3	Auf Lager2.100
STGP14NC60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 25A 80W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A Leistung - max: 80W Schaltenergie: 82µJ (on), 155µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 34.4nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22.5ns/116ns Testbedingung: 390V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 37ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager21.474
STGP15H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 30A 115W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Leistung - max: 115W Schaltenergie: 136µJ (on), 207µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 81nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 24.5ns/118ns Testbedingung: 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 103ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager6.678
STGP15M65DF2 STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Leistung - max: 136W Schaltenergie: 90µJ (on), 450µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 45nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 24ns/93ns Testbedingung: 400V, 15A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 142ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager17.148
STGP18N40LZ STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 420V 30A 150W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 420V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Leistung - max: 150W Schaltenergie: - Eingabetyp: Logic Gate Charge: 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 650ns/13.5µs Testbedingung: 300V, 10A, 5V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager4.914
STGP19NC60H STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 130W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 130W Schaltenergie: 85µJ (on), 189µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/97ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager21.312
STGP19NC60HD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 130W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 130W Schaltenergie: 85µJ (on), 189µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/97ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager110.874
STGP19NC60KD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 35A 125W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 165µJ (on), 255µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/105ns Testbedingung: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager7.788
STGP19NC60S STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 130W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A Leistung - max: 130W Schaltenergie: 135µJ (on), 815µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 54.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17.5ns/175ns Testbedingung: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager9.024
STGP19NC60SD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 130W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 12A Leistung - max: 130W Schaltenergie: 135µJ (on), 815µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 54.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17.5ns/175ns Testbedingung: 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager14.220
STGP19NC60W STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 130W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 130W Schaltenergie: 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/90ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager9.720
STGP19NC60WD STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 125W TO220 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 81µJ (on), 125µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 53nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/90ns Testbedingung: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 31ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager5.418

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