STGW40H65DFB
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| Teilenummer | STGW40H65DFB |
| PNEDA Teilenummer | STGW40H65DFB |
| Beschreibung | IGBT 650V 80A 283W TO-247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.646 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGW40H65DFB Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGW40H65DFB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGW40H65DFB Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 283W |
| Schaltenergie | 498µJ (on), 363µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/142ns |
| Testbedingung | 400V, 40A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 62ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 208W Schaltenergie 220µJ (on), 340µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 56nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 34ns/184ns Testbedingung 400V, 15A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 92ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket PG-TO262-3 |
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