Transistoren

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SGB15N60HSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 27A 138W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 15A Leistung - max: 138W Schaltenergie: 530µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/209ns Testbedingung: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager5.580
SGB20N60ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 179W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 179W Schaltenergie: 440µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/225ns Testbedingung: 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager2.430
SGB30N60ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 41A 250W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.29mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 44ns/291ns Testbedingung: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager2.898
SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max: 62W Schaltenergie: 220µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/260ns Testbedingung: 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3	Auf Lager6.002
SGD02N60BUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 30W TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A Leistung - max: 30W Schaltenergie: 64µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/259ns Testbedingung: 400V, 2A, 118Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3	Auf Lager8.604
SGD04N60BUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9.4A 50W TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A Leistung - max: 50W Schaltenergie: 131µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/237ns Testbedingung: 400V, 4A, 67Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3	Auf Lager4.482
SGD06N60BUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 12A 68W TO252-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max: 68W Schaltenergie: 215µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/220ns Testbedingung: 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: PG-TO252-3	Auf Lager6.282
SGF23N60UFDM1TU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 75W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max: 75W Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager4.050
SGF23N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 75W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max: 75W Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager8.226
SGF23N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 75W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max: 75W Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager4.626
SGF40N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 100W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/65ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager6.984
SGF5N150UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A Leistung - max: 62.5W Schaltenergie: 190µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 10ns/30ns Testbedingung: 600V, 5A, 10Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager5.688
SGF80N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 110W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max: 110W Schaltenergie: 570µJ (on), 590µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/90ns Testbedingung: 300V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager5.562
SGH10N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 16A 75W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max: 75W Schaltenergie: 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/36ns Testbedingung: 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager6.264
SGH15N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 24A 160W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 320µJ (on), 356µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/44ns Testbedingung: 300V, 15A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.244
SGH15N60RUFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 24A 160W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 320µJ (on), 356µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/44ns Testbedingung: 300V, 15A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager5.346
SGH20N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 32A 195W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max: 195W Schaltenergie: 524µJ (on), 473µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/48ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 95ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager3.580
SGH23N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager8.064
SGH30N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 48A 235W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A Leistung - max: 235W Schaltenergie: 919µJ (on), 814µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/54ns Testbedingung: 300V, 30A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 95ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager3.436
SGH30N60RUFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 48A 235W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A Leistung - max: 235W Schaltenergie: 919µJ (on), 814µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 30ns/54ns Testbedingung: 300V, 30A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3PN	Auf Lager7.326
SGH40N60UFDM1TU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/65ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager2.754
SGH40N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/65ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager6.066
SGH40N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 160W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A Leistung - max: 160W Schaltenergie: 160µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 97nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/65ns Testbedingung: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager2.340
SGH80N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 195W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max: 195W Schaltenergie: 570µJ (on), 590µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/90ns Testbedingung: 300V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 95ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager7.704
SGH80N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 80A 195W TO3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max: 195W Schaltenergie: 570µJ (on), 590µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/90ns Testbedingung: 300V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager8.802
SGI02N120XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max: 62W Schaltenergie: 220µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/260ns Testbedingung: 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket: PG-TO262-3-1	Auf Lager7.920
SGL160N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 160A 250W TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 345nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/90ns Testbedingung: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 95ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager176.232
SGL160N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 160A 250W TO3PF Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 2.5mJ (on), 1.76mJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 345nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 40ns/90ns Testbedingung: 300V, 80A, 3.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager7.776
SGL40N150DTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1500V 40A 200W TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A Leistung - max: 200W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): 300ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager7.614
SGL40N150TU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1500V 40A 200W TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A Leistung - max: 200W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket: TO-264-3	Auf Lager4.554

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