SGH30N60RUFDTU
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| Teilenummer | SGH30N60RUFDTU |
| PNEDA Teilenummer | SGH30N60RUFDTU |
| Beschreibung | IGBT 600V 48A 235W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGH30N60RUFDTU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGH30N60RUFDTU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGH30N60RUFDTU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 48A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 90A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 235W |
| Schaltenergie | 919µJ (on), 814µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 85nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/54ns |
| Testbedingung | 300V, 30A, 7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 135A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 380A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 95A Leistung - max 446W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/226ns Testbedingung 433V, 95A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
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