RGTH00TS65GC11
Nur als Referenz
Teilenummer | RGTH00TS65GC11 |
PNEDA Teilenummer | RGTH00TS65GC11 |
Beschreibung | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.928 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
RGTH00TS65GC11 Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RGTH00TS65GC11 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- RGTH00TS65GC11 Datasheet
- where to find RGTH00TS65GC11
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor RGTH00TS65GC11
- RGTH00TS65GC11 PDF Datasheet
- RGTH00TS65GC11 Stock
- RGTH00TS65GC11 Pinout
- Datasheet RGTH00TS65GC11
- RGTH00TS65GC11 Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- RGTH00TS65GC11 Price
- RGTH00TS65GC11 Distributor
RGTH00TS65GC11 Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 85A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Leistung - max | 277W |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 94nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 39ns/143ns |
Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247N |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A Leistung - max 350W Schaltenergie 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 170nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/180ns Testbedingung 960V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 (IXGK) |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 33A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A Leistung - max 76W Schaltenergie 570µJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max 100W Schaltenergie 360µJ (on), 510µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/130ns Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 400A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 40A Leistung - max 380W Schaltenergie 55mJ (on), 165mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 275nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 160ns/630ns Testbedingung 2800V, 40A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™ Lieferantengerätepaket ISOPLUSi5-Pak™ |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 200W Schaltenergie 220µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/100ns Testbedingung 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |