Transistoren

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SGR20N40LTM ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 45W DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A Leistung - max: 45W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager3.726
SGR2N60UFDTF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 2.4A 25W DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A Leistung - max: 25W Schaltenergie: 30µJ (on), 13µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/80ns Testbedingung: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager8.262
SGR2N60UFDTM ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 2.4A 25W DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A Leistung - max: 25W Schaltenergie: 30µJ (on), 13µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/80ns Testbedingung: 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager7.380
SGR6N60UFTF ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 30W DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A Leistung - max: 30W Schaltenergie: 57µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/60ns Testbedingung: 300V, 3A, 80Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager4.068
SGR6N60UFTM ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 30W DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A Leistung - max: 30W Schaltenergie: 57µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/60ns Testbedingung: 300V, 3A, 80Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager3.528
SGS10N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 16A 55W TO220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max: 55W Schaltenergie: 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/36ns Testbedingung: 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager18.912
SGS10N60RUFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 16A 55W TO220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max: 55W Schaltenergie: 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/36ns Testbedingung: 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager8.568
SGS13N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 45W TO220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max: 45W Schaltenergie: 85µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/70ns Testbedingung: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager7.884
SGS23N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 73W TO220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max: 73W Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager5.346
SGS5N150UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1500V 10A 50W TO220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1500V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 5.5V @ 10V, 5A Leistung - max: 50W Schaltenergie: 190µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 10ns/30ns Testbedingung: 600V, 5A, 10Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager3.598
SGS5N60RUFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 8A 35W TO220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A Leistung - max: 35W Schaltenergie: 88µJ (on), 107µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/34ns Testbedingung: 300V, 5A, 40Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager3.384
SGS6N60UFDTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 22W TO220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A Leistung - max: 22W Schaltenergie: 57µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/60ns Testbedingung: 300V, 3A, 80Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 52ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager2.898
SGS6N60UFTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 22W TO220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A Leistung - max: 22W Schaltenergie: 57µJ (on), 25µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/60ns Testbedingung: 300V, 3A, 80Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220F	Auf Lager5.112
SGTB11N60R2DT4G ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single RC2 IGBT 10A 600V DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: - Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.608
SGU15N40LTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 45W IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 130A Leistung - max: 45W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: I-PAK	Auf Lager4.320
SGU20N40LTU ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 400V 45W IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A Leistung - max: 45W Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: I-PAK	Auf Lager2.646
SGW10N60AFKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 92W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A Leistung - max: 92W Schaltenergie: 320µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/178ns Testbedingung: 400V, 10A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager4.266
SGW10N60RUFDTM ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 16A 75W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A Leistung - max: 75W Schaltenergie: 141µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 15ns/36ns Testbedingung: 300V, 10A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK	Auf Lager4.914
SGW13N60UFDTM ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 13A 60W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 85µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/70ns Testbedingung: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK	Auf Lager8.028
SGW15N120FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 30A 198W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A Leistung - max: 198W Schaltenergie: 1.9mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/580ns Testbedingung: 800V, 15A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager5.832
SGW15N60FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 31A 139W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max: 139W Schaltenergie: 570µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/234ns Testbedingung: 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager2.448
SGW20N60FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 179W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 179W Schaltenergie: 440µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/225ns Testbedingung: 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager4.122
SGW20N60HSFKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 36A 178W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A Leistung - max: 178W Schaltenergie: 690µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/207ns Testbedingung: 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager2.142
SGW23N60UFDTM ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 23A 100W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A Leistung - max: 100W Schaltenergie: 115µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 17ns/60ns Testbedingung: 300V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK	Auf Lager4.464
SGW25N120FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 46A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 84A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 25A Leistung - max: 313W Schaltenergie: 3.7mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 45ns/730ns Testbedingung: 800V, 25A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager7.416
SGW30N60FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 41A 250W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.29mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 44ns/291ns Testbedingung: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager2.358
SGW30N60HSFKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 41A 250W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.15mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 141nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/250ns Testbedingung: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager6.606
SGW50N60HSFKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 100A 416W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A Leistung - max: 416W Schaltenergie: 1.96mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 179nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 47ns/310ns Testbedingung: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager8.658
SGW5N60RUFDTM ON Semiconductor	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 8A 60W D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 5A Leistung - max: 60W Schaltenergie: 88µJ (on), 107µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 16nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/34ns Testbedingung: 300V, 5A, 40Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 55ns Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D²PAK	Auf Lager2.448
SIGC109T120R3LEX1SA2 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 100A DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager4.914

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