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SGW50N60HSFKSA1

SGW50N60HSFKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer SGW50N60HSFKSA1
PNEDA Teilenummer SGW50N60HSFKSA1
Beschreibung IGBT 600V 100A 416W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.658
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGW50N60HSFKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGW50N60HSFKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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SGW50N60HSFKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.15V @ 15V, 50A
Leistung - max416W
Schaltenergie1.96mJ
EingabetypStandard
Gate Charge179nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.47ns/310ns
Testbedingung400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

109A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

307µJ (on), 254µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGL40N120ANDTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/110ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

112ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

STGB6NC60HT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

ISL9V2040S3S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4V, 6A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/3.64µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

STGDL6NC60DT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

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