Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 2122/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SIGC158T120R3LEX1SA2 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 150A DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 450A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager3.420
SIGC57T120R3LEX1SA3 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 50A DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager3.186
SKA06N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9A 32W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max: 32W Schaltenergie: 215µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/220ns Testbedingung: 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 200ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager3.096
SKB02N120ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max: 62W Schaltenergie: 220µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/260ns Testbedingung: 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 50ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3-2	Auf Lager3.888
SKB02N60ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 30W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A Leistung - max: 30W Schaltenergie: 64µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/259ns Testbedingung: 400V, 2A, 118Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 130ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager3.150
SKB02N60E3266ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 30W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A Leistung - max: 30W Schaltenergie: 64µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/259ns Testbedingung: 400V, 2A, 118Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 130ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager8.136
SKB04N60ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9.4A 50W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A Leistung - max: 50W Schaltenergie: 131µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/237ns Testbedingung: 400V, 4A, 67Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 180ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager8.694
SKB06N60ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max: 68W Schaltenergie: 215µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/220ns Testbedingung: 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 200ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3-2	Auf Lager7.758
SKB06N60HSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 12A 68W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 6A Leistung - max: 68W Schaltenergie: 190µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 11ns/196ns Testbedingung: 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 100ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3-2	Auf Lager7.182
SKB10N60AATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 92W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A Leistung - max: 92W Schaltenergie: 320µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/178ns Testbedingung: 400V, 10A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 220ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager4.788
SKB15N60ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 31A 139W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max: 139W Schaltenergie: 570µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/234ns Testbedingung: 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 279ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager2.088
SKB15N60 E8151 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 31A 139W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max: 139W Schaltenergie: 570µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/234ns Testbedingung: 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 279ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager6.822
SKB15N60HSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 27A 138W TO263-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 27A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 15A Leistung - max: 138W Schaltenergie: 530µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 13ns/209ns Testbedingung: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 111ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3	Auf Lager6.156
SKP02N120XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max: 62W Schaltenergie: 220µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 23ns/260ns Testbedingung: 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 50ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager5.148
SKP02N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 6A 30W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A Leistung - max: 30W Schaltenergie: 64µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 14nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/259ns Testbedingung: 400V, 2A, 118Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 130ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager3.060
SKP04N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 19A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A Leistung - max: 50W Schaltenergie: 131µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 22ns/237ns Testbedingung: 400V, 4A, 67Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 180ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager6.642
SKP06N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 12A 68W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max: 68W Schaltenergie: 215µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 25ns/220ns Testbedingung: 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 200ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager3.456
SKP10N60AXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 92W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 10A Leistung - max: 92W Schaltenergie: 320µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 28ns/178ns Testbedingung: 400V, 10A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 220ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager8.586
SKP15N60XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 31A 139W TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max: 139W Schaltenergie: 570µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/234ns Testbedingung: 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 279ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3	Auf Lager4.284
SKW07N120FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 16.5A 125W TO247 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A Leistung - max: 125W Schaltenergie: 1mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 27ns/440ns Testbedingung: 800V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 60ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager5.274
SKW15N120FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 30A 198W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A Leistung - max: 198W Schaltenergie: 1.9mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/580ns Testbedingung: 800V, 15A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 65ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager6.714
SKW15N60FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 31A 139W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 62A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max: 139W Schaltenergie: 570µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 32ns/234ns Testbedingung: 400V, 15A, 21Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 279ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager6.390
SKW20N60FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 40A 179W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max: 179W Schaltenergie: 440µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 36ns/225ns Testbedingung: 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 300ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager172.581
SKW20N60HSFKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 36A 178W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 20A Leistung - max: 178W Schaltenergie: 690µJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 18ns/207ns Testbedingung: 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 130ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager3.762
SKW25N120FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 1200V 46A 313W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 46A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 84A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 25A Leistung - max: 313W Schaltenergie: 3.7mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 45ns/730ns Testbedingung: 800V, 25A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 90ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager5.886
SKW30N60FKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 41A 250W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.29mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 44ns/291ns Testbedingung: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 400ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager5.202
SKW30N60HSFKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 41A 250W TO247-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 112A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A Leistung - max: 250W Schaltenergie: 1.15mJ Eingabetyp: Standard Gate Charge: 141nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 20ns/250ns Testbedingung: 400V, 30A, 11Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 125ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: PG-TO247-3	Auf Lager5.130
SLA5222 Sanken	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 30A PFC Hersteller: Sanken Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP w/fin	Auf Lager6.420
SLA5227 Sanken	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 30A PFC Hersteller: Sanken Serie: - IGBT-Typ: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Leistung - max: - Schaltenergie: - Eingabetyp: Standard Gate Charge: - Td (ein / aus) bei 25 ° C.: - Testbedingung: - Reverse Recovery Time (trr): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 12-SIP Lieferantengerätepaket: 12-SIP w/fin	Auf Lager6.324
STGB10H60DF STMicroelectronics	Transistoren - IGBTs - Single IGBT 600V 20A 115W D2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A Leistung - max: 115W Schaltenergie: 83µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp: Standard Gate Charge: 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C.: 19.5ns/103ns Testbedingung: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr): 107ns Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager12.246

«
‹
1
...
2119
2120
2121
2122 (current)
2123
2124
2125
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message