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SGH15N60RUFDTU

SGH15N60RUFDTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGH15N60RUFDTU
PNEDA Teilenummer SGH15N60RUFDTU
Beschreibung IGBT 600V 24A 160W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.244
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 21 - Jun 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGH15N60RUFDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGH15N60RUFDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGH15N60RUFDTU, SGH15N60RUFDTU Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 612,63 KB)
PDFSGH15N60RUFDTU Datenblatt Cover
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SGH15N60RUFDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)24A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 15A
Leistung - max160W
Schaltenergie320µJ (on), 356µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge42nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/44ns
Testbedingung300V, 15A, 13Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

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Hersteller

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Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.03mJ (on), 480µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

175nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/77ns

Testbedingung

480V, 50A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

SGTB11N60R2DT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IHW30N100TFKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

412W

Schaltenergie

1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

217nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/546ns

Testbedingung

600V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

FGPF30N30DTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

46W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

39nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

STGD6NC60HDT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

56W

Schaltenergie

20µJ (on), 68µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/76ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

21ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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