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Seite 1964/2164

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APTGT50DA170T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 75A 312W SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager4.230
APTGT50DA170TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 75A 312W SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager4.356
APTGT50DDA120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT TRENCH BOOST SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 270W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager1.696
APTGT50DDA60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual Boost Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.667
APTGT50DH120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT 1200V 75A SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 277W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager7.002
APTGT50DH120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 277W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager5.292
APTGT50DH170TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager4.806
APTGT50DH60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT 600V 80A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager4.518
APTGT50DH60TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.582
APTGT50DSK120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual Buck Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 270W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager5.328
APTGT50DSK60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual Buck Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.406
APTGT50DU120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 277W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager5.040
APTGT50DU170TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Dual, Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.388
APTGT50H120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 270W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager3.276
APTGT50H120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 277W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.294
APTGT50H170TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager7.470
APTGT50H60RT3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Single Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.698
APTGT50H60T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager8.910
APTGT50H60T2G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT 600V 80A SP2 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP2 Lieferantengerätepaket: SP2	Auf Lager4.590
APTGT50H60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager4.194
APTGT50SK120D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 75A 270W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 270W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager2.520
APTGT50SK120TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1200V 75A 277W SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 277W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager8.730
APTGT50SK170D1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 70A 310W D1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Leistung - max: 310W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 6mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: D1 Lieferantengerätepaket: D1	Auf Lager4.428
APTGT50SK170T1G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 75A 312W SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager4.284
APTGT50SK170TG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 1700V 75A 312W SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager6.984
APTGT50TA170PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Phase Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Leistung - max: 310W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager6.966
APTGT50TA60PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRNCH TRPL PH LEG SP6-P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Phase Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager6.228
APTGT50TDU170PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Triple, Dual - Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A Leistung - max: 310W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager4.410
APTGT50TDU60PG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Triple, Dual - Common Source Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager7.650
APTGT50TL601G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: Trench Field Stop Konfiguration: Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP1 Lieferantengerätepaket: SP1	Auf Lager4.212

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