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Transistoren

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APTGT50TL60T3G
APTGT50TL60T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 600V 80A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Level Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 176W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager5.220
APTGT50X60T3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 176W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager6.246
APTGT580U60D4G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 760A 1600W D4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 760A
  • Leistung - max: 1600W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D4
  • Lieferantengerätepaket: D4
Auf Lager4.248
APTGT600A60G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700A
  • Leistung - max: 2300W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.652
APTGT600DA60G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 700A 2300W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700A
  • Leistung - max: 2300W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.204
APTGT600DU60G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700A
  • Leistung - max: 2300W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager6.768
APTGT600SK60G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT TRENCH BUCK CHOP 600V SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700A
  • Leistung - max: 2300W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager4.050
APTGT600U120D4G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 900A 2500W D4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 900A
  • Leistung - max: 2500W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 40nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D4
  • Lieferantengerätepaket: D4
Auf Lager6.660
APTGT600U170D4G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1100A
  • Leistung - max: 2900W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 51nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D4
  • Lieferantengerätepaket: D4
Auf Lager6.504
APTGT750U60D4G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 1000A 2300W D4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1000A
  • Leistung - max: 2300W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D4
  • Lieferantengerätepaket: D4
Auf Lager7.362
APTGT75A1202G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP2

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP2
  • Lieferantengerätepaket: SP2
Auf Lager4.554
APTGT75A120D1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager3.258
APTGT75A120T1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager6.102
APTGT75A120TG
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 350W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.330
APTGT75A170D1G
APTGT75A170D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Leistung - max: 520W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager8.622
APTGT75A60T1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager5.994
APTGT75DA120D1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 110A 357W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 4mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager3.454
APTGT75DA120T1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 110A 357W SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager2.286
APTGT75DA120TG
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 110A 357W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.760
APTGT75DA170D1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 120A 520W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 120A
  • Leistung - max: 520W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager7.578
APTGT75DA170T1G
APTGT75DA170T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 130A 465W SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A
  • Leistung - max: 465W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.8nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager6.804
APTGT75DA60T1G
APTGT75DA60T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT 600V 100A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager7.452
APTGT75DDA60T3G
APTGT75DDA60T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager7.002
APTGT75DH120T3G
APTGT75DH120T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 110A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager8.892
APTGT75DH120TG
APTGT75DH120TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.762
APTGT75DH60T1G
APTGT75DH60T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 600V 100A SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager6.156
APTGT75DH60TG
APTGT75DH60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
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APTGT75DSK60T3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Buck Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager7.200
APTGT75DU120TG
APTGT75DU120TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A
  • Leistung - max: 350W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.220
APTGT75H120TG
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 110A
  • Leistung - max: 357W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
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