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Transistoren

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APTGT35SK120D1G
APTGT35SK120D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 55A 205W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A
  • Leistung - max: 205W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager3.744
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A
  • Leistung - max: 208W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager6.750
APTGT400A120D3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 580A
  • Leistung - max: 2100W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager6.156
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 560A
  • Leistung - max: 1785W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager6.606
APTGT400A60D3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A
  • Leistung - max: 1250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager6.102
APTGT400DA120D3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 580A 2100W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 580A
  • Leistung - max: 2100W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager5.040
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 560A 1785W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 560A
  • Leistung - max: 1785W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.814
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 500A 1250W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A
  • Leistung - max: 1250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager7.344
APTGT400DU120G
APTGT400DU120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 560A
  • Leistung - max: 1785W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.834
APTGT400SK120D3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 580A 2100W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 580A
  • Leistung - max: 2100W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager5.562
APTGT400SK120G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 560A 1785W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 560A
  • Leistung - max: 1785W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 750µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager2.142
APTGT400SK60D3G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 500A 1250W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500A
  • Leistung - max: 1250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager7.380
APTGT400TL65G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 650V SP6C

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • IGBT-Typ: -
  • Konfiguration: -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Leistung - max: -
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: -
  • Eingabe: -
  • NTC-Thermistor: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager2.916
APTGT400U120D4G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 600A 2250W D4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600A
  • Leistung - max: 2250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 8mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D4
  • Lieferantengerätepaket: D4
Auf Lager5.418
APTGT400U170D4G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 800A 2080W D4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800A
  • Leistung - max: 2080W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 33nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D4
  • Lieferantengerätepaket: D4
Auf Lager8.586
APTGT450A60G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 550A
  • Leistung - max: 1750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager2.384
APTGT450DA60G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 550A 1750W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 550A
  • Leistung - max: 1750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager7.938
APTGT450DU60G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 550A
  • Leistung - max: 1750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.292
APTGT450SK60G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 550A 1750W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 550A
  • Leistung - max: 1750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager8.406
APTGT50A1202G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 1200V 75A SP2

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 277W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP2
  • Lieferantengerätepaket: SP2
Auf Lager4.878
APTGT50A120D1G
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 270W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager2.736
APTGT50A120T1G
APTGT50A120T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 277W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager3.006
APTGT50A120TG
APTGT50A120TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 277W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager5.760
APTGT50A170D1G
APTGT50A170D1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 310W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 6mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
Auf Lager3.526
APTGT50A170T1G
APTGT50A170T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 312W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager5.400
APTGT50A170TG
APTGT50A170TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 312W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.276
APTGT50A60T1G
APTGT50A60T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A
  • Leistung - max: 176W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 75A 270W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 270W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 75A 277W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A
  • Leistung - max: 277W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
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Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 70A 310W D1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70A
  • Leistung - max: 310W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 6mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D1
  • Lieferantengerätepaket: D1
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