Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 1960/2164
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
APTGT150SK60TG
APTGT150SK60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 225A 480W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager4.554
APTGT150TA60PG
APTGT150TA60PG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRPL PHASE LEG SP6P

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Phase
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6-P
Auf Lager5.796
APTGT150TDU60PG
APTGT150TDU60PG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRPL DUAL SRCE SP6P

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Triple, Dual - Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 225A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6-P
Auf Lager4.691
APTGT150TL60G
APTGT150TL60G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 3-LEVEL INVERTER 600V SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Level Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A
  • Leistung - max: 480W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.726
APTGT200A120D3G
APTGT200A120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A
  • Leistung - max: 1040W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 6mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager531
APTGT200A120G
APTGT200A120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager6.420
APTGT200A170D3G
APTGT200A170D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A
  • Leistung - max: 1250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager5.346
APTGT200A602G
APTGT200A602G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP2
  • Lieferantengerätepaket: SP2
Auf Lager8.046
APTGT200A60T3AG
APTGT200A60T3AG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager4.734
APTGT200A60TG
APTGT200A60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.942
APTGT200DA120D3G
APTGT200DA120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 300A 1050W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A
  • Leistung - max: 1050W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 6mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager6.012
APTGT200DA120G
APTGT200DA120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 280A 890W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager4.572
APTGT200DA170D3G
APTGT200DA170D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 400A 1250W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A
  • Leistung - max: 1250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager5.220
APTGT200DA60T3AG
APTGT200DA60T3AG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 600V 290A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager6.462
APTGT200DA60TG
APTGT200DA60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 290A 625W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.276
APTGT200DH120G
APTGT200DH120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager3.240
APTGT200DH60G
APTGT200DH60G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Asymmetrical Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager7.794
APTGT200DU120G
APTGT200DU120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager7.146
APTGT200DU60TG
APTGT200DU60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual, Common Source
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager6.228
APTGT200H120G
APTGT200H120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager4.986
APTGT200H60G
APTGT200H60G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager5.886
APTGT200SK120D3G
APTGT200SK120D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 300A 1050W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A
  • Leistung - max: 1050W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 6mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager2.736
APTGT200SK120G
APTGT200SK120G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1200V 280A 890W SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 280A
  • Leistung - max: 890W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager8.910
APTGT200SK170D3G
APTGT200SK170D3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 1700V 400A 1250W D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400A
  • Leistung - max: 1250W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: D-3 Module
  • Lieferantengerätepaket: D3
Auf Lager2.142
APTGT200SK60T3AG
APTGT200SK60T3AG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

MOD IGBT 600V 290A SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 750W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager3.454
APTGT200SK60TG
APTGT200SK60TG

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT 600V 290A 625W SP4

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Single
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 290A
  • Leistung - max: 625W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP4
  • Lieferantengerätepaket: SP4
Auf Lager3.420
APTGT200TL60G
APTGT200TL60G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Three Level Inverter
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A
  • Leistung - max: 652W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 350µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 12.2nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: No
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP6
  • Lieferantengerätepaket: SP6
Auf Lager7.110
APTGT20A60T1G
APTGT20A60T1G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Half Bridge
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 32A
  • Leistung - max: 62W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP1
  • Lieferantengerätepaket: SP1
Auf Lager2.430
APTGT20DDA60T3G
APTGT20DDA60T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE DUAL BSOOT CHOP SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Boost Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 32A
  • Leistung - max: 62W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager3.438
APTGT20DSK60T3G
APTGT20DSK60T3G

Microsemi

Transistoren - IGBTs - Module

IGBT MODULE DUAL BUCK CHOP SP3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • IGBT-Typ: Trench Field Stop
  • Konfiguration: Dual Buck Chopper
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 32A
  • Leistung - max: 62W
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
  • Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • Eingabe: Standard
  • NTC-Thermistor: Yes
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Paket / Fall: SP3
  • Lieferantengerätepaket: SP3
Auf Lager8.280