APTGT200DA120G
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| Teilenummer | APTGT200DA120G |
| PNEDA Teilenummer | APTGT200DA120G |
| Beschreibung | IGBT 1200V 280A 890W SP6 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.572 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGT200DA120G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APTGT200DA120G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT200DA120G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Konfiguration | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 280A |
| Leistung - max | 890W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 350µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Leistung - max 205W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.45nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
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Hersteller Littelfuse Inc. Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Leistung - max 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A (Typ) Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 5.3nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall S-3 Module Lieferantengerätepaket S3 |
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