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APTGV50H120BTPG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Boost Chopper, Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 270W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP6 Lieferantengerätepaket: SP6-P	Auf Lager2.988
APTGV50H120T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 75A Leistung - max: 270W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.316
APTGV50H60BG Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Boost Chopper, Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP4 Lieferantengerätepaket: SP4	Auf Lager3.168
APTGV50H60BT3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module MOD IGBT NPT 600V SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Boost Chopper, Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager2.610
APTGV50H60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Leistung - max: 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager8.460
APTGV75H60T3G Microsemi	Transistoren - IGBTs - Module IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - IGBT-Typ: NPT, Trench Field Stop Konfiguration: Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SP3 Lieferantengerätepaket: SP3	Auf Lager2.088
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Chopper Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 205A Leistung - max: 835W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.968
BSM100GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 830W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.968
BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: 830W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.760
BSM100GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A Leistung - max: 800W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.670
BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 34MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 145A Leistung - max: 700W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager4.104
BSM100GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200A Leistung - max: 960W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.892
BSM100GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MODULE IGBT 1700V Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 145A Leistung - max: 1000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.814
BSM100GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 600V 130A Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A Leistung - max: 445W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.730
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 12.2µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.950
BSM100GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150A Leistung - max: 680W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.244
BSM100GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 130A Leistung - max: 430W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.780
BSM100GP60BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 135A Leistung - max: 420W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.156
BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: * IGBT-Typ: - Konfiguration: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Leistung - max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Eingangskapazität (Cies) @ Vce: - Eingabe: - NTC-Thermistor: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.418
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Leistung - max: 80W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 530pF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.036
BSM10GP120BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Leistung - max: 100W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager7.776
BSM10GP60BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Leistung - max: 80W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V Eingabe: Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor: Yes Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.280
BSM150GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager280
BSM150GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 210A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2.8mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.920
BSM150GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MODULE IGBT AG-62MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.726
BSM150GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 MED POWER 62MM-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager6.876
BSM150GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module MODULE IGBT 1700V Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 220A Leistung - max: 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager7.758
BSM150GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT MODULE 600V 180A Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 180A Leistung - max: 595W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager159
BSM150GD60DLC Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: NPT Konfiguration: Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 180A Leistung - max: 570W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager8.874
BSM15GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies	Transistoren - IGBTs - Module IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - IGBT-Typ: - Konfiguration: Full Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35A Leistung - max: 145W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 76µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V Eingabe: Standard NTC-Thermistor: No Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager5.472

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