BSM100GB120DLCHOSA1
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| Teilenummer | BSM100GB120DLCHOSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BSM100GB120DLCHOSA1 |
| Beschreibung | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BSM100GB120DLCHOSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BSM100GB120DLCHOSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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BSM100GB120DLCHOSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Leistung - max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 430A Leistung - max 1562W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 360A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 200µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 17.2nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Powerex Inc. Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Three Phase Inverter with Brake Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Leistung - max 114W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.36nF @ 10V Eingabe Three Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -20°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 26-DIP Module Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 620V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 39A Leistung - max 231W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 25µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Single Phase Bridge Rectifier NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall F1 Module Lieferantengerätepaket F1 |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Leistung - max 640W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 6.3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall E3 Lieferantengerätepaket E3 |
