APTGT50TDU60PG
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Teilenummer | APTGT50TDU60PG |
PNEDA Teilenummer | APTGT50TDU60PG |
Beschreibung | IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.650 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTGT50TDU60PG Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | APTGT50TDU60PG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
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APTGT50TDU60PG Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Konfiguration | Triple, Dual - Common Source |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
Leistung - max | 176W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 250µA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | SP6 |
Lieferantengerätepaket | SP6-P |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Full Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Leistung - max 176W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP2 Lieferantengerätepaket SP2 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 325A Leistung - max 1150W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 225A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 16nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 800A Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 26nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 420A Leistung - max 1380W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 21nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
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