Transistoren

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EPC2029 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1410pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager33.138
EPC2030 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET NCH 40V 31A DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager76.464
EPC2030ENGRT EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET NCH 40V 31A DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager26.238
EPC2031 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET NCH 60V 31A DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager23.736
EPC2031ENGRT EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET NCH 60V 31A DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 300V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager28.920
EPC2032 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 100V 48A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1530pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager2.448
EPC2033 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager32.334
EPC2034 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 140°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager4.770
EPC2034C EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS GAN 200V 8MOHM DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager27.228
EPC2035 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager49.314
EPC2036 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager3.286.026
EPC2037 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GAN TRANS 100V 550MOHM BUMPED DI Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager614.934
EPC2038 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GAN TRANS 100V 2.8OHM BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager1.148.130
EPC2039 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 80V BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager4.786
EPC2040 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET NCH 15V 3.4A DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 15V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93nC @ 5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 105pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager676.590
EPC2045 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 100V BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager330.630
EPC2045ENGRT EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 100V BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 685pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager4.392
EPC2049ENGRT EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 40V BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager14.964
EPC2051 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 258pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager42.354
EPC2051ENGRT EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager6.138
EPC2052 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS GAN 100V DIE 16MOHM Hersteller: EPC Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager54.072
EPC2053 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS GAN 100V DIE 4MOHM Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1895pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager18.876
EPC2202 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 80V 18A DIE Hersteller: EPC Serie: Automotive, AEC-Q101, eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (Max): +5.75V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Outline (6-Solder Bar) Paket / Fall: Die	Auf Lager373.800
EPC2203 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR Hersteller: EPC Serie: Automotive, AEC-Q101, eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83nC @ 5V Vgs (Max): +5.75V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager56.460
EPC2206 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET N-CH 80V 90A DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager48.888
EPC2212 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AEC-Q101 GAN FET 100V 13.5 MOHM Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 407pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager26.022
EPC2214 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single AEC-Q101 GAN FET 80V 20 MOHM Hersteller: EPC Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager56.268
EPC8002 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 32.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager521.712
EPC8004 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager4.572
EPC8009 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 52pF @ 32.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager3.960

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