Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
EC4401C-TL ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.15A ECSP1008-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-ECSP1008 Paket / Fall: 4-UFDFN	Auf Lager5.094
ECH8308-P-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 10A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager7.956
ECH8308-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 10A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager3.420
ECH8309-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1780pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager7.074
ECH8310-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 9A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager8.910
ECH8315-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 875pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager5.724
ECH8315-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 875pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-28FL/ECH8 Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager8.856
ECH8320-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager3.240
ECH8410-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager5.274
ECH8419-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 35V 9A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager6.102
ECH8420-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2430pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager6.480
ECH8601M-C-TL-HX ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager3.654
ECH8656-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-ECH Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager6.840
EFC4612R-S-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 6A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EFCP1313-4CC-037 Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager7.596
EFC4612R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 6A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EFCP1313-4CC-037 Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager6.984
EFC4612R-W-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 6A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EFCP1313-4CC-037 Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager4.932
EFC4615R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 6A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EFCP1515-4CC-037 Paket / Fall: 4-XBGA, 4-FCBGA	Auf Lager7.956
EFC4619R-A-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 6A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EFCP1616-4CE-022 Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager7.164
EFC4621R-A-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 6A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: EFCP1818-4CE-22 Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager3.888
EFC6604R-A-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 6A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-EFCP (1.9x1.46) Paket / Fall: 6-XFBGA	Auf Lager3.114
EKI04027 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 82.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.742
EKI04036 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 58.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3910pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 116W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.604
EKI04047 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 42.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2410pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.750
EKI06051 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 85A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6210pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.748
EKI06075 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 78A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3810pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 116W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.130
EKI06108 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 57A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 28.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.544
EKI07076 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 85A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.812
EKI07117 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 62A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 62A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 31.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4040pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 116W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.112
EKI07174 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 46A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 22.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.520
EKI10126 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 66A TO-220 Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6420pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.086

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