ECH8309-TL-H
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| Teilenummer | ECH8309-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | ECH8309-TL-H |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ECH8309-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ECH8309-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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ECH8309-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1780pF @ 6V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-ECH |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13216pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 283W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK-3 Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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