Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
DMTH8012LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1949pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.6W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.348
DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 80V 10A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta), 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2051pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.6W (Ta), 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager56.466
DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1949pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.736
DN1509K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 90V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 490mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-5 Paket / Fall: SC-74A, SOT-753	Auf Lager3.078
DN1509N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 90V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager8.280
DN2450K4-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager16.836
DN2450N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager3.330
DN2470K4-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager339.546
DN2530N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 175mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226) Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager21.096
DN2530N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager19.062
DN2535N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226) Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager16.134
DN2535N3-G-P003 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226) Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager4.896
DN2535N3-G-P013 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226) Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager6.228
DN2535N5-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.506
DN2540N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226) Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager13.398
DN2540N3-G-P003 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226) Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager6.318
DN2540N5-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 15W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager16.296
DN2540N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager19.734
DN2625K4-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager358
DN3135K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager152.772
DN3135N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 135mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager906
DN3145N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager8.946
DN3525N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager93.390
DN3535N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager16.470
DN3545N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 136mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92 (TO-226) Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager14.484
DN3545N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager52.728
DN3765K4-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.878
E3M0065090D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Automotive, AEC-Q101, E FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84.5mOhm @ 20A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 15V Vgs (Max): +18V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager16.920
E3M0120090D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Automotive, AEC-Q101, E FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 15V Vgs (Max): +18V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 600V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 97W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager18.552
E3M0280090D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Automotive, AEC-Q101, E FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 15V Vgs (Max): +18V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 600V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 54W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager14.268

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