EPC2036
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| Teilenummer | EPC2036 |
| PNEDA Teilenummer | EPC2036 |
| Beschreibung | GANFET TRANS 100V 1A BUMPED DIE |
| Hersteller | EPC |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.286.026 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EPC2036 Ressourcen
| Marke | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EPC2036 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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EPC2036 Technische Daten
| Hersteller | EPC |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.91nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ DK5 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1050V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 204nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6675pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 680W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket ISOTOP Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/614 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 14.4A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 12V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-257 Paket / Fall TO-257-3 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-WEMT Paket / Fall SOT-563, SOT-666 |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ C7 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 260µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 77W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-VSON-4 Paket / Fall 4-PowerTSFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ CFD2 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 68.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 33.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3.3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
