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FCH040N65S3-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4740pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.588
FCH041N60E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 77A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 77A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 592W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager20.856
FCH041N60F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 76A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14365pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager9.552
FCH041N60F-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 600V 76A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 347nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.944
FCH041N65EF-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12560pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager18.912
FCH041N65EFL4 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 76A Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12560pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-4	Auf Lager9.468
FCH041N65EFLN4 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SF2 650V 44MOHM F TO2474L Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 298nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12560pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-4 Paket / Fall: TO-247-4	Auf Lager3.096
FCH041N65F-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13566pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.372
FCH041N65F-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 76A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13020pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 595W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.992
FCH043N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 75A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12225pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 592W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.172
FCH060N80-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 56A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5.8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14685pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.492
FCH067N65S3-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 44A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3090pF @ 400V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 312W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.008
FCH070N60E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 52A Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4925pF @ 380V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 481W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager9.036
FCH072N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 52A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5890pF @ 380V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 481W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager10.740
FCH072N60F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 52A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8660pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 481W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.012
FCH072N60F-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 52A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6330pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 481W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.952
FCH077N65F-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 54A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7162pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 481W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.658
FCH077N65F-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 54A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7109pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 481W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.718
FCH085N80-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 46A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10825pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): 446W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.742
FCH099N60E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3465pF @ 380V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.896
FCH099N65S3_F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.400
FCH099N65S3-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SF3 650V 99MOHM E TO247L Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2480pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.446
FCH104N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 37A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4165pF @ 380V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.068
FCH104N60F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 37A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: HiPerFET™, Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5950pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.020
FCH104N60F-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 37A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 18.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4302pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager13.374
FCH110N65F-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 35A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4895pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.786
FCH125N60E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 29A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2990pF @ 380V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 278W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.752
FCH125N65S3R0-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V TO247 PKG Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 181W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager9.060
FCH130N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 28A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3590pF @ 380V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 278W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.010
FCH150N65F-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 24A Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3737pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 298W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.294

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