Transistoren

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FCH165N60E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 23A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2434pF @ 380V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.868
FCH165N65S3R0-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SF3 650V 165MOHM E TO247L Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 154W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.336
FCH170N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 22A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2860pF @ 380V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.544
FCH190N65F-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3181pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.064
FCH190N65F-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3225pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Long Leads Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.430
FCH20N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.150
FCH22N60N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 205W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager19.920
FCH25N60N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3352pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 216W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager10.788
FCH35N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6640pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 312.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.086
FCH47N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.798
FCH47N60F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.834
FCH47N60-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.910
FCH47N60-F133 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.418
FCH47N60F-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.976
FCH47N60F-F133 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager9.300
FCH47N60N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 368W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager9.660
FCH47N60NF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6120pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 368W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.402
FCH76N60N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 76A TO-247 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12385pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 543W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.652
FCH76N60NF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11045pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 543W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.096
FCHD040N65S3-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 650V 65A TO247AD Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.138
FCHD125N65S3R0-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 650V 24A TO247AD Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.002
FCHD190N65S3R0-F155 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 650V 17A TO247AD Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.664
FCI11N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.520
FCI25N60N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3352pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 216W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.056
FCI25N60N-F102 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3352pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 216W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.902
FCI7N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK (TO-262) Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.768
FCMT099N65S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 30A POWER88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power88 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager8.640
FCMT125N65S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SF3 650V 125MOHM MOSFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1920pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 181W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-PQFN (8x8) Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager6.642
FCMT180N65S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SUPERFET3 650V PQFN88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power88 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager8.100
FCMT199N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88 Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power88 Paket / Fall: 4-PowerTSFN	Auf Lager7.002

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