Transistoren

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CPH6444-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-CPH Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager5.652
CPH6444-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-CPH Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager5.040
CPH6445-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-CPH Paket / Fall: SOT-23-6	Auf Lager43.182
CPMF-1200-S080B Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 313mW (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager8.046
CPMF-1200-S160B Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 928pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 202W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager2.052
CSD13201W10 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 462pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DSBGA (1x1) Paket / Fall: 4-UFBGA, DSBGA	Auf Lager550.482
CSD13202Q2 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 76A 6SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad	Auf Lager634.356
CSD13302W Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 1.6A Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 862pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DSBGA Paket / Fall: 4-UFBGA, DSBGA	Auf Lager24.900
CSD13302WT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 862pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-DSBGA (1x1) Paket / Fall: 4-UFBGA, DSBGA	Auf Lager5.544
CSD13303W1015 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.65W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA	Auf Lager2.106
CSD13306W Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 3.5A Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA (1x1.5) Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA	Auf Lager6.768
CSD13306WT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 6DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA (1x1.5) Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA	Auf Lager24.594
CSD13380F3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 156pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager58.692
CSD13380F3T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 156pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager83.748
CSD13381F4 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager5.177.952
CSD13381F4T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager276.498
CSD13383F4 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 291pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager5.886
CSD13383F4T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 291pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager140.712
CSD13385F5 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 674pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager26.514
CSD13385F5T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 674pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager103.896
CSD15380F3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281nC @ 10V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager267.612
CSD15380F3T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190mOhm @ 100mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.35V @ 2.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.281nC @ 10V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager17.286
CSD15571Q2 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-SON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager3.454
CSD16301Q2 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 6-SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-SON Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager323.046
CSD16321Q5 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager1.480.404
CSD16321Q5C Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 31A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.290
CSD16322Q5 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 97A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1365pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager22.038
CSD16322Q5C Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 97A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 97A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1365pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SON Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.172
CSD16323Q3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager575.178
CSD16323Q3C Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 60A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 24A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 12.5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SON-EP (3x3) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.994

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