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CSD17304Q3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 56A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.076
CSD17305Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.658
CSD17306Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 22A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2170pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager38.988
CSD17307Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 73A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 73A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager248.046
CSD17308Q3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 47A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager1.347.594
CSD17308Q3T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager132.948
CSD17309Q3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 18A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager42.330
CSD17310Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1560pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager224.478
CSD17311Q5 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4280pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.786
CSD17312Q5 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 35A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5240pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager48.042
CSD17313Q2 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5A 6SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager269.310
CSD17313Q2Q1 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5A 6SON Hersteller: Serie: Automotive, AEC-Q100, NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager43.104
CSD17313Q2Q1T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager8.514
CSD17313Q2T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5A Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (Max): +10V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 17W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager22.104
CSD17318Q2 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 30V N CH MOSFET Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 16W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager2.916
CSD17318Q2T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 8A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 16W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager19.392
CSD17322Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 87A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 87A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 14A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 695pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.754
CSD17327Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 65A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 506pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.100
CSD17381F4 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8A Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager246.372
CSD17381F4T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager160.176
CSD17382F4 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 347pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager332.808
CSD17382F4T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 347pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager112.944
CSD17483F4 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager1.523.478
CSD17483F4T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager180.276
CSD17484F4 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager630.450
CSD17484F4T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 500mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.2nC @ 8V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager1.515.954
CSD17501Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager25.326
CSD17505Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1980pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.714
CSD17506Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager116.904
CSD17507Q5A Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 65A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-VSONP (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager68.202

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