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Seite 1097/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
CMPDM7002AG BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V Vgs (Max): 40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.312
CMPDM7002AG TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager85.914
CMPDM7002AHC TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager56.796
CMPDM7003 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager54.360
CMS16N06D-HF Comchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 64A TO-2 Hersteller: Comchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Ta), 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 27W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager21.840
CMS16P06H8-HF Comchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60VDS 20VGS 64A DFN5 Hersteller: Comchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta), 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1256pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN5x6 (PR-PAK) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager26.670
CMS45P03H8-HF Comchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30VDS 20VGS 150A DFN Hersteller: Comchip Technology Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2215pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN5x6 (PR-PAK) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager24.198
CMS70N04H8-HF Comchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40VDS 20VGS 70A DFN5 Hersteller: Comchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1278pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 72.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DFN5x6 (PR-PAK) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager22.290
CMUDM7001 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-523 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager8.676
CMUDM7004 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT523 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SOT-523	Auf Lager136.464
CMUDM7005 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 650mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SOT-523	Auf Lager22.254
CMUDM8001 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SOT-523	Auf Lager29.724
CMUDM8004 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SOT-523	Auf Lager29.934
CMUDM8005 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 650mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SOT-523	Auf Lager3.438
CP373-CMPDM303-CT20 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.938
CP373-CMPDM303NH-CT Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.184
CP373-CMPDM303NH-WN Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.562
CP373-CTLDM303N-CT Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.454
CP373-CTLDM303N-WN Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.238
CP773-CMPDM302PH-CT Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager8.352
CP773-CMPDM302PH-WN Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager2.916
CPC3701C IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V SOT89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager3.078
CPC3701CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V SOT89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager7.704
CPC3703C IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89-3 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager3.078
CPC3703CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89-3 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager59.496
CPC3708CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: -40°C ~ 110°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager6.480
CPC3708ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -40°C ~ 110°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.420
CPC3710C IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V SOT89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 220mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager5.832
CPC3710CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V SOT89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 220mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager6.318
CPC3714C IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V SOT89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 240mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager4.608

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