Transistoren

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BUZ73A Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.066
BUZ73AE3046XK Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.316
BUZ73A H Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.140
BUZ73A H3046 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.706
BUZ73AL Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.768
BUZ73ALHXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.544
BUZ73E3046XK Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.022
BUZ73H3046XKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.974
BUZ73HXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.122
BUZ73L Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.192
BUZ73LHXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.454
BUZ80A Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.662
BVSS123LT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 225mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager250.386
BVSS138LT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 225mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.126.260
BVSS138LT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.416
BVSS84LT1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 225mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager737.382
BVSS84LT3G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.856
BXL4001 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 85A TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 85A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.75W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220(LS) Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.520
BXL4004-1E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8200pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.290
C2M0025120D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2788pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 463W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager14.382
C2M0040120D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1893pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 330W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager37.512
C2M0045170D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: C2M™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3672pF @ 1kV FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager19.008
C2M0045170P Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: C2M™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3672pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-4 Paket / Fall: TO-247-4	Auf Lager11.112
C2M0080120D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: C2M™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 5V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 192W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager879
C2M0080170P Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: C2M™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 28A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 277W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-4 Paket / Fall: TO-247-4	Auf Lager8.052
C2M0160120D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager39.336
C2M0280120D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 259pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager157.680
C2M1000170D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 191pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager135.762
C2M1000170J Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: C2M™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7 (Straight Leads)	Auf Lager35.286
C2M1000170J-TR Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: C2M™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 500µA (Typ) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 1000V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK-7 Paket / Fall: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Auf Lager3.436

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