Transistoren

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CPC3720C IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V SOT89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22Ohm @ 130mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager2.358
CPC3730C IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V SOT89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 140mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager2.430
CPC3902CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V TO-243AA Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager3.546
CPC3902ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V SOT-223 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 110°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.354
CPC3909CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V SOT-89 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta) Betriebstemperatur: -40°C ~ 110°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager13.626
CPC3909ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V SOT-223 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -40°C ~ 110°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager5.598
CPC3960ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V SOT-223 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager22.044
CPC3980ZTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V SOT-223 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager13.662
CPC3982TTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V SOT-23 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380Ohm @ 20mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 400mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 110°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager24.672
CPC5602CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager2.754
CPC5603CTR IXYS Integrated Circuits Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 Hersteller: IXYS Integrated Circuits Division Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 415V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager16.392
CPH3348-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: SC-96	Auf Lager2.430
CPH3348-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.534
CPH3350-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.974
CPH3351-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.552
CPH3351-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager726.612
CPH3355-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 172pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.644
CPH3355-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 172pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager25.920
CPH3356-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.146
CPH3356-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager58.182
CPH3360-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 303mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.740
CPH3360-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 303mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.186
CPH3362-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 142pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager55.410
CPH3448-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: SC-96	Auf Lager4.068
CPH3448-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager84.180
CPH3455-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 186pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: SC-96	Auf Lager4.104
CPH3455-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 186pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.968
CPH3456-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.986
CPH3456-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager29.394
CPH3457-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-CPH Paket / Fall: SC-96	Auf Lager2.700

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