CPMF-1200-S160B
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| Teilenummer | CPMF-1200-S160B |
| PNEDA Teilenummer | CPMF-1200-S160B |
| Beschreibung | MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE |
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.052 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 25 - Mär 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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CPMF-1200-S160B Ressourcen
| Marke | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | CPMF-1200-S160B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
CPMF-1200-S160B, CPMF-1200-S160B Datenblatt
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CPMF-1200-S160B Technische Daten
| Hersteller | Cree/Wolfspeed |
| Serie | Z-FET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 28A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 928pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 202W (Tj) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Micro3™/SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.92mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 231W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3 Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 30A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3075pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3620pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 136W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
