Speicher-ICs

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MT46V32M8TG-6T L:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.842
MT46V32M8TG-75:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.600
MT46V32M8TG-75:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager5.184
MT46V32M8TG-75 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.066
MT46V32M8TG-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager8.874
MT46V32M8TG-75 L:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.462
MT46V32M8TG-75 L:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.356
MT46V32M8TG-75Z:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.462
MT46V32M8TG-75Z:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager5.670
MT46V64M16P-6T:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager7.776
MT46V64M16P-6T:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager7.164
MT46V64M16P-6T IT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager7.092
MT46V64M16P-6T IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.446
MT46V64M16P-75:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager5.040
MT46V64M16P-75:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager8.802
MT46V64M16TG-6T:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.858
MT46V64M16TG-6T:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.264
MT46V64M16TG-6T IT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager2.304
MT46V64M16TG-75:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager5.112
MT46V64M16TG-75:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager2.520
MT46V64M4BG-5B:GTR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager8.748
MT46V64M4BG-6:GTR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager6.012
MT46V64M4FG-5B:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager2.790
MT46V64M4FG-6:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager8.694
MT46V64M4FG-75E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager5.238
MT46V64M4FG-75E:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager8.352
MT46V64M4FG-75:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager7.416
MT46V64M4FG-75:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x14)	Auf Lager7.092
MT46V64M4P-5B:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.330
MT46V64M4P-5B:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager2.736

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