Speicher-ICs

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MT46V32M16P-5B:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager13.065
MT46V32M16P-5B:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager16.686
MT46V32M16P-5B L:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.840
MT46V32M16P-5B L:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager8.748
MT46V32M16P-5B XIT:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.062
MT46V32M16P-5B XIT:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager8.478
MT46V32M16P-6T:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.526
MT46V32M16P-6T:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager7.848
MT46V32M16P-6T:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager104.699
MT46V32M16P-6T:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.320
MT46V32M16P-6T IT:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.951
MT46V32M16P-6T IT:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.454
MT46V32M16P-6T L:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.660
MT46V32M16P-6T L:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.842
MT46V32M16P-6T L IT:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.978
MT46V32M16P-75:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.482
MT46V32M16P-75:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.258
MT46V32M16P-75 IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager6.660
MT46V32M16P-75 IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager2.016
MT46V32M16P-75 L:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.158
MT46V32M16P-75 L:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 750ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager7.092
MT46V32M16T67A3WC1 Micron Technology Inc.	Speicher DDR 512M DIE 32MX16 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.498
MT46V32M16TG-5B:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager1.952
MT46V32M16TG-5B:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.490
MT46V32M16TG-5B:F Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager3.294
MT46V32M16TG-5B:F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager4.392
MT46V32M16TG-5B IT:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager8.298
MT46V32M16TG-5B IT:J Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager3.436
MT46V32M16TG-5B IT:JTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager5.058
MT46V32M16TG-5B IT:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.5V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP	Auf Lager2.700

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